南开大学罗峰课题组全奖博士招生

南开大学讲席教授罗锋博士课题组招收新型铁电存储器技术方向博士生一名。有意者请于2023.3.20前发送简历至hongpeizhen at nankai.edu.cn.

罗锋，南开大学教授，博士。2010年12月加入马德里高等研究院纳米研究所，2013年12月提前获得研究教授(终身教职副教授)，2016年6月晋升为资深研究教授(终身教职正教授)，2021年1月全职加入南开大学材料科学与工程学院任讲席教授，并在电子信息与光学工程学院兼任教授，博导。

南开大学半导体芯片材料与器件加工团队在材料生长向拥有脉冲激光沉积、原子层沉积和磁控溅射等多套先进设备，BTU高温氧化扩散炉、多种PECVD, LPCVD等薄膜设备和快速热退火炉设备（RTA），在光刻（激光直写/纳米压印/电子束曝光/极紫外光刻）、刻蚀（RIE/IB）等方向拥有多台晶圆级设备，可以完成完整的工艺研发流片测试工作。关键技术包括EUV光刻干式光刻胶的研发工艺，纳米压印图形化平台，GAA刻蚀设备，原子层沉积与刻蚀ALD/ALE加工平台，在材料表征和性能测试方向拥有原子力显微镜、聚焦离子束显微镜、XPS、综合物性测量系统、以及4D透射/扫描电子显微镜等，还基于同步辐射集成电路元器件原位表征平台成立了上海光源/南开大学联合实验室。中心的集成电路失效分析实验室已储备集成电路可靠性测试能力，包括ESD测试（HBM/CDM）、LU测试、EOS测试、浪涌测试、TLP测试、电磁兼容测试、环境测试等方面；可提供电性故障分析、材料成分分析、切面结构分析、电路切割、电路修补、竞品设计分析等可靠性分析服务。成功解决了大规模SOC产品、多电源域多管脚产品、RF高频产品、高压产品和finfet等产品的ESD可靠性问题。涉及工艺：包括传统的CMOS、BCD、SOI工艺，以及目前最前沿的3D FINFET工艺（国内尚未成熟）。并与多家公司和科研单位具有长期稳定的深度合作关系，包括江苏鲁汶仪器、中科院微电子所先导工艺研发平台等，用于大型装备自主研发的能力。目前在电光学院已经形成一支在模拟芯片设计（射频芯片、电源管理芯片和数模信号转换器）和芯片可靠性测试以及失效分析方向的研究团队。材料学院的团队在极紫外光刻方向注重加强与半导体工业届紧密联系，通过与光刻胶企业彤程微电子、北京科华，芯片设计制造企业华为海思、长鑫存储、中芯国际、比利时IMEC，半导体设备公司鲁汶仪器、天仁微纳、极智芯科技等紧密合作，结合大科学装置如瑞士光源、美国APS光源、上海光源等公共科研平台，聚焦在sub-7nm工艺节点半导体先进制程的关键材料、工艺与装备方向。

转自：“科研doge”微信公众号

如有侵权，请联系本站删除！