基于低温溶液处理的钨基硫族化合物的高迁移率柔性晶体管

以下文章来源于低维 昂维 ，作者低维 昂维

成果介绍

研究MoS2以外的高迁移率2D薄片是构建高迁移率溶液处理网络库的必要条件。

有鉴于此，近日，英国爱尔兰都柏林圣三一学院Jonathan N. Coleman和Tian Carey（共同通讯作者）等报道了WSe2、WS2和MoS2大长径比(>100)半导体薄片的电化学剥离。本文使用Langmuir-Schaefer涂覆在低加工温度(120 ℃)和无酸处理下实现了高度对齐和保形的薄片网络，具有最小的介孔率(~2-5%)。这使得可以在环境空气中制作电化学晶体管，MoS2、WS2和WSe2的平均迁移率分别为μMoS2≈11 cm2 V-1 s-1、μWS2≈9 cm2 V-1 s-1和μWSe2≈2 cm2 V-1 s-1，电流开关比Ion/Ioff分别为≈2.6×103、3.4×103和4.2×104。此外，这些晶体管显示阈值电压接近~0.4 V，亚阈值斜率低至182 mV/dec，这是维持电源效率的关键因素，代表了当前技术水平1个数量级的改进。此外，本文的WSe2晶体管在PET衬底上即使在1%应变下弯曲1000次循环后也能保持性能。

文献信息

High-Mobility Flexible Transistors with Low-Temperature Solution-Processed Tungsten Dichalcogenides

(ACS Nano, 2023, DOI:10.1021/acsnano.2c11319)

文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.2c11319

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