双hBN封装实现超高界面热导，用于2D电子器件的高效热管理

以下文章来源于低维 昂维 ，作者低维 昂维

成果介绍

散热是高性能电子产品的主要限制。这在由超薄层、异质结和界面组成的新兴纳米电子器件中尤其重要，在这些器件中，热传输的增强是非常需要的。

有鉴于此，近日，美国凯斯西储大学Philip X.-L. Feng，弗吉尼亚大学Baoxing Xu和史蒂文斯理工学院Xian Zhang（共同通讯作者）等合作报道了具有夹在两层hBN之间单层过渡金属硫族化合物MX2(MoS2，WSe2，WS2)的封装范德华(vdW)异质结的超高界面热导。通过在不同激光功率和温度下对悬浮和衬底支撑的hBN/MX2/hBN异质结的拉曼光谱测量，校准了垂直堆叠中的面外界面热导。MX2与hBN之间的界面热导达到74±25 MW m-2 K-1，比非封装结构MX2的界面热导至少高10倍。分子动力学(MD)计算验证和解释了实验结果，表明hBN层的完全封装是高界面电导的原因。这种超高的界面热导归因于两种晶体2D材料之间的双传热途径和干净紧密的vdW界面。本研究的发现揭示了hBN/MX2/hBN结构中的新型热输运机制，并为构建具有增强热管理的新型hBN封装纳米电子器件提供了启示。

文献信息

Ultra-High Interfacial Thermal Conductance via Double hBN Encapsulation for Efficient Thermal Management of 2D Electronics

(Small, 2023, DOI:10.1002/smll.202205726)

文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smll.202205726

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