使用干法转移的透明碳纳米管电极，实现高灵敏度MoS2光电探测器

以下文章来源于低维 昂维 ，作者低维 昂维

成果介绍

通过转移预先沉积的金属电极来制造电子和光电器件，由于性能的提高而引起了广泛的关注。然而，预沉积金属电极通常涉及复杂的制造工艺。

有鉴于此，近日，芬兰阿尔托大学Harri Lipsanen和Er-Xiong Ding（共同通讯作者）等介绍了一种简单的电极制造工艺，无需光刻、剥离和反应离子刻蚀，只需直接压印-转移单壁碳纳米管(SWCNT)薄膜即可。本文使用干法转移的SWCNT薄膜作为透明电极来增加光活性MoS2沟道中的光吸收，制作了肖特基二极管，用于光电探测器应用。采用SWCNT电极的垂直堆叠MoS2薄片具有良好的光探测性能，响应率为~2.01×103 A/W，探测率为~3.2×1012 Jones。此外，本文进行了温度依赖性电流-电压测量和Fowler-Nordheim(FN)图分析，探索主要电荷传输机制。垂直构型的增强是由于由氧化铟锡激发的载流子穿过MoS2层的FN隧穿和内部光电发射。本文的研究提供了一个新颖的概念，使用光活性MoS2层作为隧穿层本身与干法转移的透明SWCNT电极，可以用于高性能和节能的光电器件。

文献信息

Highly Sensitive MoS2 Photodetectors Enabled with a Dry-Transferred Transparent Carbon Nanotube Electrode

(ACS Appl. Mater. Interfaces, 2023, DOI:10.1021/acsami.2c19917)

文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.2c19917

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