二维半导体中平面外电荷流的微观量子输运过程

以下文章来源于低维 昂维 ，作者低维 昂维

成果介绍

二维范德华(vdW)界面的层间弱耦合从根本上区分了平面外电荷流(vdW组装的垂直电子和光学器件中的信息载体)与平面内能带输运过程。

有鉴于此，近日，韩国梨花女子大学Sang Wook Lee和韩国标准科学研究院Suyong Jung（共同通讯作者）等合作报道了2D vdW半导体过渡金属硫族化合物(SCTMD)的面外电荷输运行为。测量结果表明，在高电场状态下，特别是在低温下，电子或空穴载流子Fowler-Nordheim(FN)隧穿成为超薄SCTMD中主要的量子输运过程，直到单层。对于少层SCTMD，连续的逐层FN隧穿被观察到主导电荷流，从而作为一种材料表征探针，用于确定SCTMD薄膜的费米能级位置和层数。此外，亚纳米厚半导体层内电子或空穴载流子波包的物理限制降低了垂直量子隧穿概率，导致隧穿载流子的有效质量增强。

文献信息

Microscopic Quantum Transport Processes of Out-of-Plane Charge Flow in 2D Semiconductors Analyzed by a Fowler–Nordheim Tunneling Probe

(Adv. Electron. Mater., 2023, DOI:10.1002/aelm.202300051)

文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.202300051

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